| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FP75R07N2E4
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-31 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP75R07N2E4B11BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-31 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP75R07N2E4BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-31 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP75R07N2E4_B11
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-31 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP75R12KT3
中文翻译 品牌: EUPEC |
IGBT-inverter IGBT逆变器 |
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网 | |||
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FP75R12KT3
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM™ 3 1200 V、75 A 三相 PIM IGBT 模块，采用快速 TRENCHSTOP™ IGBT3、发射极控制 HE 二极管和温度检测 NTC。集成了整流器和制动斩波器的 PIM（功率集成模块）可节省系统成本。它们可以使用 Econo2 和 Econo3 封装，也可以使用焊接 | 局域网 斩波器 双极性晶体管 功率控制 二极管 | ||
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FP75R12KT4B11BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP75R12KT4B15BOSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 | ||
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FP75R12KT4P
中文翻译 品牌: INFINEON |
Solder pin | 局域网 功率控制 晶体管 | ||
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FP75R12KT4_B15
中文翻译 品牌: INFINEON |
EconoPIM™3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode EconoPIM ™ 3模块沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4 |
晶体 二极管 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 | ||
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FP75R17N3E4BPSA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 125A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | 局域网 栅 功率控制 晶体管 |
Total:111
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