| 型号等于： | FQPF8N60C (3) |
| 型号起始： | FQPF8N60* (8) FQPF8N60C* (8) |
| 所属品牌： | 不限 FAIRCHILD(5) ONSEMI(2) KERSEMI(1) |
| 功能分类： | 不限 局域网(7) 开关(7) 脉冲(7) 晶体管(7) 晶体(4) 功率场效应晶体管(3) PC(4) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FQPF8N60C
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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FQPF8N60C
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，7.5 A，1.2 Ω，TO-220F | 局域网 PC 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQPF8N60CFT
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
600V N-Channel MOSFET 600V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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FQPF8N60CFT
中文翻译 品牌: ONSEMI |
N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET 600V, 6.26A, 1.5Ω | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQPF8N60CT_NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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FQPF8N60CYDTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, TO-220F, 3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 |
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