品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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476KXM050M
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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ATC100B0R5BT500XT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | 电容器 | |||
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ATC100B1R5BT500XT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier | 电容器 | |||
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ATC100B470JT500XT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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ATC700B0R4BT500XT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers RF LDMOS宽带集成功率放大器 |
电容器 放大器 功率放大器 | |||
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C1825C223K1GAC
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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C1825C225J5RAC
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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C5750X5R1H106MT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistors 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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CDR33BX104AKWS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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CDR33BX104AKYS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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EMVY500ADA470MF80G
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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ESME630ELL471MK25S
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field--Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场 - 效果晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 电容器 晶体管 射频 | |||
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GJM1555C1H180GB01D
中文翻译 品牌: FREESCALE |
Enhancement Mode pHEMT Technology (E-pHEMT) High Linearity Amplifier 增强模式pHEMT技术(E -PHEMT ),高线性度放大器 |
电容器 放大器 PC | |||
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GRM21BR71H104KA01B
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power LDMOS Transistors RF功率LDMOS晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 | |||
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GRM21BR71H105KA12L
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power LDMOS Transistors RF功率LDMOS晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 PC | |||
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GRM31CR71H475KA12L
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers RF LDMOS宽带集成功率放大器 |
电容器 放大器 功率放大器 PC | |||
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GRM55DR61H106KA88L
中文翻译 品牌: FREESCALE |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs N沟道增强模式横向的MOSFET |
电容器 | |||
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T491D106K035AS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs N沟道增强模式横向的MOSFET |
电容器 | |||
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T491D106K035AT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistor 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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T491D476K016AS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power LDMOS Transistors RF功率LDMOS晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 | |||
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T491D476K016AT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistors 射频功率场效应晶体管 |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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T491X226K035AS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers RF LDMOS宽带集成功率放大器 |
电容器 放大器 功率放大器 | |||
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T491X226K035AT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 | |||
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T494X226K035AT
中文翻译 品牌: FREESCALE |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 射频功率场效应晶体管N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET |
晶体 电容器 晶体管 功率场效应晶体管 射频 |
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FREESCALE是什么品牌:飞思卡尔Freescale是全球半导体行业的领先公司。我们开发嵌入式解决方案的历史可追溯到50多年前的1948年,当时我们还是摩托罗拉旗下的半导体部。在1955年,我们推出了世界上第一款商用的高功率晶体管、一种用于汽车音响的锗晶体管和我们的第一款大批量生产的半导体。从这一现代技术的基础构建模块开始,我们便从未停止过技术上的创造发明。 我们受到了数字市场激动人心的发展形势的驱动,并且还要不断满足客户每天面临的嵌入式挑战性需求。我们是永不放弃的研究机构,每年都会将总收入的20%、相当于8亿美元的资金投资到研发领域。此外,我们所拥有的知识产权包含了多达6,400个专利系列产品。所有这一切都可以证明我们拥有追求创新的巨大激情。NXP已以118亿收购Freescale。