品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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2N2926
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N3390
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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2N3390A
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N3858
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N3858-60
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N3858A
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N3859A
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N3878
中文翻译 品牌: GE |
HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS 高速外延集电极NPN硅平面晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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2N3879
中文翻译 品牌: GE |
HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS 高速外延集电极NPN硅平面晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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2N5038
中文翻译 品牌: GE |
HIGH-CURRENT, HIGH-POWER HIGH-SPEED SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTORS 大电流,大功率高速硅NPN平面晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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2N5039
中文翻译 品牌: GE |
HIGH-CURRENT, HIGH-POWER HIGH-SPEED SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTORS 大电流,大功率高速硅NPN平面晶体管 |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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2N5202
中文翻译 品牌: GE |
HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS 高速外延集电极NPN硅平面晶体管 |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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2N5305
中文翻译 品牌: GE |
SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 硅达林顿晶体管 |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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2N5306
中文翻译 品牌: GE |
SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 硅达林顿晶体管 |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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2N5306A
中文翻译 品牌: GE |
SILICON DARLINGTON TRANSISTORS 硅达林顿晶体管 |
晶体 晶体管 达林顿晶体管 | |||
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2N5365
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N5366
中文翻译 品牌: GE |
SILICON TRANSISTORS 硅晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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2N6032
中文翻译 品牌: GE |
HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS 大电流高速高功率晶体管 |
晶体 晶体管 高功率电源 | |||
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2N6033
中文翻译 品牌: GE |
HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS 大电流高速高功率晶体管 |
晶体 晶体管 高功率电源 | |||
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2N6496
中文翻译 品牌: GE |
HIGH-CURRENT, HIGH-POWER HIGH-SPEED SILICON N-P-N PLANAR TRANSISTORS 大电流,大功率高速硅NPN平面晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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2N6500
中文翻译 品牌: GE |
HIGH SPEED EPITAXIAL COLLECTOR SILICON NPN PLANAR TRANSISTORS 高速外延集电极NPN硅平面晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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3N204
中文翻译 品牌: GE |
Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N205
中文翻译 品牌: GE |
Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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3N206
中文翻译 品牌: GE |
Silicon Dual Insulated-Gate Field-Effect Transistors 硅双绝缘栅场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 栅 | |||
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BU323
中文翻译 品牌: GE |
10-Ampere N-P-N Monolithic Darlington Power Transistors 10安培NPN单片达林顿功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BU323A
中文翻译 品牌: GE |
10-Ampere N-P-N Monolithic Darlington Power Transistors 10安培NPN单片达林顿功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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BUX11A
中文翻译 品牌: GE |
HIGH CURRENT HIGH POWER HIGH SPEED SILICON N-P-N POWER TRANSISTOR 高电流电源高速NPN硅功率晶体管 |
晶体 晶体管 高功率电源 | |||
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BUX37
中文翻译 品牌: GE |
15 AMPERE NPN MONOLITHIC DARLINGTON POWER TRANSISTOR 15安培NPN单片达林顿功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CA3018
中文翻译 品牌: GE |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR ARRAYS 通用晶体管阵列 |
晶体 晶体管 | |||
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CA3018A
中文翻译 品牌: GE |
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR ARRAYS 通用晶体管阵列 |
晶体 晶体管 |
GE是什么品牌:通用电气公司(General Electric Company,简称GE),又称为奇异公司、通用电力公司:世界上最大的电器和电子设备制造公司及提供技术和服务业务的跨国公司。
美国通用电气公司2017年6月1日宣布,在天津空港经济区启用其首个美国以外、服务于多个业务部门的智能制造技术中心。
这家电气公司是由老摩根在1892年出资把爱迪生通用电气公司、汤姆逊-豪斯登国际电气公司等三家公司合并组成。在两次世界大战中,这家公司大发战争财,获得了迅速发展。第一次世界大战后,该公司在新兴的电工技术部门--无线电方面居于统治地位,1919年成立了一个子公司,即美国无线电公司,几乎独占了美国的无线电工业。第二次世界大战又使通用电气公司的产量和利润额急剧增长。