品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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FI-RE41S-HF-J
中文翻译 品牌: JAE |
SHIELD TYPE, COPLANARITY BETWEEN TERMINAL AND HOLD DOWN OF SHELL SHOULD BE 0.08mm MAX 屏蔽类型,共面性端之间并按住壳应0.08毫米MAX |
局域网 | |||
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FI-RE51S-HF-J
中文翻译 品牌: JAE |
SHIELD TYPE, COPLANARITY BETWEEN TERMINAL AND HOLD DOWN OF SHELL SHOULD BE 0.08mm MAX 屏蔽类型,共面性端之间并按住壳应0.08毫米MAX |
局域网 | |||
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IXTK60N50L2
EDA模型
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXTN110N20L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXTN200N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXTQ30N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IXTT75N10L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 放大器 脉冲 晶体管 | |||
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IXTX60N50L2
中文翻译 品牌: LITTELFUSE |
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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