品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
CMT8260N0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8260N0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8260N1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8260N1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8260W0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8260W0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8260W1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8260W1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8261N0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8261N0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8261N1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8261N1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8261W0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8261W0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8261W1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8261W1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8262N0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8262N0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8262N1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8262N1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8262W0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8262W0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8262W1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8262W1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8263N0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8263N0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8263N1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8263N1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8263W0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8263W0为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8263W1
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8263W1为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本 | 栅 | |||
![]() |
CMT8266N0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8266N0为高性能六通道数字隔离器,具有多达六路正向通道,通过 UL1577 安全认证,支持多种绝缘耐压(3.75kVRMS, 5.7kVRMS),同时能够以较低的功耗实现高电磁抗扰度和低 | ||||
![]() |
CMT8266W0
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8266W0 为高性能六通道数字隔离器,具有多达六路正向通道,通过 UL1577 安全认证,支持多种绝缘耐压(3.75kVRMS, 5.7kVRMS),同时能够以较低的功耗实现高电磁抗扰度和 | ||||
![]() |
CMT826X
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT826X为高性能六通道数字隔离器,该产品采用二氧化硅(SiO2) 绝缘栅,支持高达5kVrms隔离电压。 该数字隔离器用于两个不同电源域间通讯,以防止数据总线或其他电路上的噪声电流进入本地接 | 栅 | |||
![]() |
CMT83085
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT83085 是基于CMOSTEK数字隔离技术的高可靠性半双工RS-485收发器。CMT83085通过了UL1577 安全认证,支持5kVrms 绝缘耐压,同时拥有低辐射,低功耗和很强的抗电磁 | 隔离技术 | |||
![]() |
CMT8602A-K
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602A-K是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602A-N
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602A-N是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602A-W
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602A-W是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602B-K
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602B-K是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602B-N
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602B-N是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602B-W
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602B-W是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602C-K
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602C-K是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602C-N
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602C-N是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602C-W
中文翻译 品牌: HOPERF |
CMT8602C-W是隔离式双通道栅极驱动器,具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT,IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度 | 栅极驱动 双极性晶体管 驱动器 | |||
![]() |
CMT8602X
中文翻译 品牌: HOPERF |
The CMT8602X device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time and wide t |
HOPERF是什么品牌:深圳市华普微电子股份有限公司(以下简称“华普微”),注册资金6000万,是一家专注于无线射频和传感器领域的国家级高新技术企业。现已发展成为国内集ASIC芯片设计、MEMS传感芯片设计、封装测试校准技术、应用服务于一体的完整产业链公司。公司拥有自主知识产权的模拟和数字混合射频芯片"NextGenRF"算法、PlutoIOT\PlutoWAN协议,以及硅压阻式传感器芯片设计技术; 主打以无线射频Sub-1GHz为基础及延伸的射频芯片、无线传输模块,基于MEMS技术衍生的各类型传感器产品,以及相关物联网应用解决方案等; 华普微产品包括无线射频芯片、数字隔离器、LoRaWan模块、数据透传模块等等﹔传感器包括高精度气压传感器、温湿度传感器等﹔另有Matter模块,蓝牙模块,WiFi模块等等物联网相关产品线,涵盖信息采集、信息传输和信号处理等领域,具备广阔的拓展应用空间。至今累积获得多项专业认证、拥有14项发明专利,14项实用新型专利、5项外观专利和103项软件著作权。