品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CLY10E6327
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, SOT-223, 4 PIN | 放大器 光电二极管 晶体管 | ||
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CLY15
中文翻译 品牌: INFINEON |
GaAs FET (Power amplifier for mobile phones For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz) 砷化镓场效应管(功率放大器为移动电话的频率从400 MHz到2.5 GHz的) |
晶体 放大器 射频场效应晶体管 功率放大器 光电二极管 移动电话 | |||
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CLY35-00ES
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY35-00H
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY35-00P
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY35-00S
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY35-05ES
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY35-10ES
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY35-10H
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY38-00ES
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MWP-35, 3 PIN | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CLY38-05ES
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY38-05S
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MWP-35, 3 PIN | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CLY38-10ES
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MWP-35, 3 PIN | 局域网 放大器 晶体管 | |||
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CLY38-10H
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MWP-35, 3 PIN | ||||
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CLY38-10P
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MWP-35, 3 PIN | ||||
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GTVA263202FCV1R0
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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GTVA263202FCV1R0XTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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GTVA263202FCV1R2
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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GTVA263202FCV1R2XTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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IRHNJ9A3130
中文翻译 品牌: INFINEON |
Rad hard, 100V, 35A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad TID, COTS | ||||
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IRHNJ9A7130
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor | ||||
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PTAC210802FCV1
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, | ||||
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PTAC210802FCV1R0
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, | ||||
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PTAC210802FCV1R0XTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, | |||
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PTAC210802FCV1R250
中文翻译 品牌: INFINEON |
RF Power Field-Effect Transistor, | ||||
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PTAC210802FCV1R250XTMA1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 â 2170 MHz | |||
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PTF041501E
中文翻译 品牌: INFINEON |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150W, 450-500MHZ 热增强型高功率射频LDMOS FET的150W , 450-500MHZ |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 局域网 | |||
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PTF041501F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150W, 450-500MHZ 热增强型高功率射频LDMOS FET的150W , 450-500MHZ |
晶体 射频场效应晶体管 放大器 | |||
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PTF080101M
中文翻译 品牌: INFINEON |
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 450-960MHZ LDMOS射频功率场效应晶体管10W , 450-960MHZ |
晶体 射频场效应晶体管 功率场效应晶体管 光电二极管 放大器 | ||
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PTF080101S
中文翻译 品牌: INFINEON |
LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ LDMOS射频功率场效应晶体管10W , 860-960MHZ |
晶体 射频场效应晶体管 功率场效应晶体管 放大器 |
INFINEON是什么品牌:英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、移动性和安全性,为汽车和工业电子装置、芯片卡和安全应用以及各种通信应用提供半导体和系统解决方案。 英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称,并在模拟和混合信号、射频、功率以及嵌入式控制装置领域掌握尖端技术。 英飞凌的业务遍及全球,在美国加州苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2011财年(截止到2011年9月份),公司实现销售额39.97亿欧元。