型号等于:0201HS (1) 10TPB330M (1) 1110IB (1) 1110IBZ (1) 1112IBZ (1) 127Z (1) 128Z (1) 202ECBNZ (1) 202ECBZ (1) 202ECPZ (1) 202EIBNZ (1) 202EIBZ (1) 214Z (1) 232ECBNZ (1) 232ECBZ (1) 232EIBNZ (1) 232EIVZ (1) 23425WFVZ (1) 24502BVA (1) 2525-5Z (1) 28278FAZ (1) 28478FAZ (1) 29102BJA (1) 29103BRA (1) 29104BJA (1) 29109BRA (1) 29110BJA (1) 2N2607 (1) 2N2608 (1) 2N2609 (1) 2N3684 (1)
型号起始:0201HS* (1) 108-0740-* (1) 10TPB330M* (1) 1110IB* (1) 1110IBZ* (1) 1112IBZ* (1) 12103D226* (1) 12106D107* (1) 127Z* (1) 128Z* (1) 131-4353-* (1) 202ECBNZ* (1) 202ECBZ* (1) 202ECPZ* (1) 202EIBNZ* (1) 202EIBZ* (1) 214Z* (1) 232ECBNZ* (1) 232ECBZ* (1) 232EIBNZ* (1) 232EIVZ* (1) 23425WFVZ* (3) 24502BVA* (1) 2525-5Z* (1) 28278FAZ* (1) 28478FAZ* (1) 29102BJA* (1) 29103BRA* (1) 29104BJA* (1) 29109BRA* (1) 29110BJA* (1)
所属品牌:不限 INTERSIL(26640)
功能分类:不限 运算放大器(1618) 驱动器(2947) 控制器(2344) 放大器(1799) 转换器(1992) 接口集成电路(1465) 光电二极管(6114) 开关(3243) 监控(1656) 可编程只读存储器(1541) 电动程控只读存储器(1478) 电可擦编程只读存储器(1478) 稳压器(746) 电阻器(653) 电位器(680) 复用器(607) 商用集成电路(630) 晶体(1070) 晶体管(1026) 脉冲(507) 局域网(798) (503) 输出元件(624) 电池(471) 信息通信管理(366) 触发器(324) 内存集成电路(385) 调节器(407) 计数器(246) 比较器(191) 二极管(411) 微处理器(414) CD(1075) 多相元件(232) 外围集成电路(590) 时钟(657) 电信集成电路(225) 激光二极管(147) 仪表放大器(85) 解复用器(94) 总线收发器(94) 超快软恢复二极管(57) 快速软恢复二极管(57) 显示驱动器(81) 输入元件(167) 振荡器(181) 驱动(258) 锁存器(87) 逻辑集成电路(474) 编码器(114) 缓冲放大器(59)
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2N6975
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5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
5A , 400V和500V N沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网
2N6976
中文翻译 品牌: INTERSIL
5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
5A , 400V和500V N沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网
HGT1S12N60A4S
中文翻译 品牌: INTERSIL
600V, SMPS Series N-Channel IGBT
600V ,开关电源系列N沟道IGBT
晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
HGT1S1N120BNDS
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5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
5.3A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速
晶体 二极管 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
HGT1S2N120BNS
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12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
12A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT
600V ,开关电源系列N沟道IGBT
晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGT1S7N60A4S
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT
600V ,开关电源系列N沟道IGBT
晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
HGT1S7N60C3DS
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14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
14A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速
晶体 二极管 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
HGTD10N40F1S
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10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
10A , 400V和500V N沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管
HGTD10N50F1
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10A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
10A , 400V和500V N沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管
HGTD2N120BNS
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12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
12A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
HGTD3N60A4S
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT
600V ,开关电源系列N沟道IGBT
晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
HGTD6N50E1
中文翻译 品牌: INTERSIL
6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
6A , 400V和500V N沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管
HGTD7N60A4S
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT
600V ,开关电源系列N沟道IGBT
晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管
HGTD8P50G1
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8A, 500V P-Channel IGBTs
图8A ,500V P沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管
HGTD8P50G1S
中文翻译 品牌: INTERSIL
8A, 500V P-Channel IGBTs
图8A ,500V P沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管
HGTG11N120CND
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43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
43A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速
晶体 二极管 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG12N60A4D
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速
晶体 二极管 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG12N60C3D
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24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
24A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速
晶体 二极管 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG18N120BND
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54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
54A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速
晶体 二极管 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG20N60A4
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600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
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晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG27N120BN
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72A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
72A , 1200V ,不扩散核武器条约系列N沟道IGBT
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG30N60A4
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT
600V ,开关电源系列N沟道IGBT
晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 PC 局域网
HGTG30N60A4D
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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晶体 二极管 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG30N60B3
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60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
60A , 600V , UFS系列N沟道IGBT
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
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60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
60A , 600V , UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速
晶体 二极管 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
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600V, SMPS Series N-Channel IGBT
600V ,开关电源系列N沟道IGBT
晶体 开关 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTG40N60B3
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70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
70A , 600V , UFS系列N沟道IGBT
晶体 晶体管 功率控制 瞄准线 双极性晶体管 局域网
HGTH12N40C1
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10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
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晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网
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15A, 20A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
15A , 20A , 400V和500V N沟道IGBT的
晶体 晶体管 功率控制 双极性晶体管 局域网
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INTERSIL是什么品牌:Intersil公司是一家全球性的技术领先者,专门设计和制造高性能的模拟半导体。Intersil总部设在圣何塞,加利福尼亚州,Intersil的使命是成为首屈一指的高性能模拟公司。该公司有着一个坚实的基础,并具有多年的模拟经验,该公司继续把重点放在领先的吸引力高性能模拟市场,将提供了Intersil一个可持续的长期模式的成功。 Intersil公司主营产品包括电源管理,放大器和缓冲器,音频和视频,数据转换器,接口电路,开关/多路复用器/交叉矩阵,时钟和数字器件,航空航天及军用器件等。Intersil的产品广泛应用于各个领域,包括汽车电子,计算机,消费电子,工业应用,医疗,安全监控,LED照明等。 从 2018 年 1 月 1 日开始,Renesas 和 Intersil 作为一个统一的企业运营,其半导体固有产能获得了巨大提升。通过这次合并,广受赞誉的 Renesas MCU 和 SoC 技术与 Intersil 市场领先的在高性能电源管理和精密模拟器件方面的专业知识实现了高度融合,进而推动了汽车、工业和广泛领域的内生增长,并使这一全新企业能够更快地响应客户的系统需求。