| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF133
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204 | ||||
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IRF133R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-204AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS | 12A I（ D） | TO- 204AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF135B203
中文翻译 品牌: INFINEON |
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various application | |||
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IRF135S203
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | |||
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IRF135SA204
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):135 V ;额定电流Id(A):160A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):5.9 毫欧 @ 96A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):315 nC @ | 栅 栅极 | ||
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IRF1360
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-259AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 25A I（ D） | TO- 259AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF140
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRF140
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
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IRF140
中文翻译 品牌: INTERSIL |
28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFET 28A ， 100V ， 0.077 Ohm的N通道功率MOSFET |
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IRF140
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A) 晶体管N沟道（ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.077ohm ，ID = 28A ） |
晶体 晶体管 | ||
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IRF140
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V N沟道功率MOSFET ， 27 A， 60-100V |
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IRF140
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF140-143
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V N沟道功率MOSFET ， 27 A， 60-100V |
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IRF1404
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A) 功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON） = 0.004ohm ，ID = 162A ） |
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IRF1404
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF1404
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 先进的工艺技术超低导通电阻 |
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IRF1404
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):40; Id(A):200; Pd(W):215; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):2.0; Vth(Max)(V):4.0; RDS(on)(typ)(Ω)@10V:0.0019; Qg(typ)(nc | ||||
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IRF1404D
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):40; Id(A):200; Pd(W):215; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):2.0; Vth(Max)(V):4.0; RDS(on)(typ)(Ω)@10V:0.0019; Qg(typ)(nc | ||||
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IRF1404E
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):40; Id(A):200; Pd(W):215; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):2.0; Vth(Max)(V):4.0; RDS(on)(typ)(Ω)@10V:0.0019; Qg(typ)(nc | ||||
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IRF1404F
中文翻译 品牌: JINGHENG |
Configuration:Single; Ch:N; Vds(V):40; Id(A):200; Pd(W):85; Vgs(MAX)(V):±20; Vth(Min)(V):2.0; Vth(Max)(V):4.0; RDS(on)(typ)(Ω)@10V:0.0019; Qg(typ)(nc) | ||||
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IRF1404L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A) 功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON） = 0.004ohm ，ID = 162A ） |
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IRF1404L
中文翻译 品牌: KERSEMI |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF1404LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF1404LPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF1404PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF1404PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF1404S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A) 功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS（ON） = 0.004ohm ，ID = 162A ） |
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IRF1404S
中文翻译 品牌: KERSEMI |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF1404SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF1404SPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 |