品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF250EDPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
30A, 200V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF250EPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF250P224
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 250V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF250P225
中文翻译 品牌: INFINEON |
增强体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力 | 二极管 | ||
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IRF250R
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF250SM
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | LLCC
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 22A I( D) | LLCC\n |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRF250SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N.CHANNEL POWER MOSFET N.Channel功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRF251
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRF251
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
高压 | |||
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IRF251
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, | ||||
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IRF251
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET 150V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF251R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-204AE
晶体管| MOSFET | N沟道| 150V V( BR ) DSS | 30A I( D) | TO- 204AE\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF252
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRF252
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 高压 | |||
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IRF252
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET 200V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF2525
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS | 20A I( D) | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF252R
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET 200V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF253
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRF253
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 高压 | |||
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IRF253
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF253
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 150V 25A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF253R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-204AE
晶体管| MOSFET | N沟道| 150V V( BR ) DSS | 25A I( D) | TO- 204AE |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF254
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
高压 | |||
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IRF254
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | ||||
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IRF255
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-204AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS | 20A I( D) | TO- 204AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF256
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-204AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 275V V( BR ) DSS | 22A I( D) | TO- 204AA |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF256R
中文翻译 品牌: RENESAS |
IRF256R | ||||
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IRF257
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-204AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 275V V( BR ) DSS | 20A I( D) | TO- 204AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF2804
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF2804
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |