| 型号等于： | IRF251 (8) IRF251R (1) |
| 型号起始： | IRF251* (9) IRF251R* (1) |
| 所属品牌： | 不限 ETC(1) IXYS(1) NJSEMI(1) SAMSUNG(1) VISHAY(1) |
| 功能分类： | 不限 晶体(2) 晶体管(2) 功率场效应晶体管(1) 开关(1) 脉冲(1) 局域网(1) 高压(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF251
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRF251
中文翻译 品牌: IXYS |
High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series 高压功率MOSFET模N沟道增强型高耐用性系列 |
高压 | |||
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IRF251
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 150V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, | ||||
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IRF251
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET 150V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
Total:41
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