| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF320
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRF320
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V N沟道功率MOSFET ， 3.0 A， 350-400 V |
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IRF320
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.3A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF3205
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 8.0mohm ，ID = 110A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205
中文翻译 品牌: TYSEMI |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 先进的工艺技术超低导通电阻动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 先进的工艺技术超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 8.0mohm ，ID = 110A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF3205PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 8.0mohm ，ID = 110A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF3205SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205STRL
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 55V V（ BR ） DSS | 110A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205STRR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 55V V（ BR ） DSS | 110A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205VPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205Z
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205Z
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205Z
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 先进的工艺技术超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205ZL
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
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IRF3205ZLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
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IRF3205ZPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF3205ZS
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3205ZS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205ZS
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 先进的工艺技术超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205ZSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF3205ZSTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF3205ZSTRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF321
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V N沟道功率MOSFET ， 3.0 A， 350-400 V |
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IRF321
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 |