| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF3315STRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF3315STRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):150 V ;额定电流Id(A):21A（Tc） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):82 毫欧 @ 12A，10V ;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):95 nC @ 10 | 栅 栅极 | ||
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IRF3315STRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, D2PAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF3315STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 150V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF331R
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF332
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V N沟道功率MOSFET ， 5.5A ， 350 V / 400V |
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IRF332
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRF332
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 400V 4.5A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF332R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 4.5AI （D ） | TO- 204AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF333
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V N沟道功率MOSFET ， 5.5A ， 350 V / 400V |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRF333
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRF333
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204 | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF333
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 350V 4.5A 3-Pin (2+Tab) TO-3 | ||||
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IRF333R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 4.5AI （D ） | TO- 204AA\n |
晶体 晶体管 |