| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF5305LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF5305LPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF5305PBF
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-31A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:60mΩ@-10V | ||||
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IRF5305S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305S
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305SLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF5305SPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF5305STR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | ||||
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IRF5305STRL
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | P沟道| 55V V（ BR ） DSS | 31A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF5305STRL
中文翻译 品牌: UMW |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-31A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:60mΩ@-10V | ||||
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IRF5305STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305STRR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 31A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | P沟道| 55V V（ BR ） DSS | 31A I（ D） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF5305STRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK | |||
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IRF5305STRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF530A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
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IRF530A
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
分立式 MOSFET | |||
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IRF530A16A
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530AF
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF530AJ
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF530C
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530D1
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530F1
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP | ||||
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IRF530FI
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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IRF530FP
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR N - 沟道增强型功率MOS晶体管 |
晶体 晶体管 | ||
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IRF530FPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF530FX
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF530FXPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF530L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.11ohm, Id=17A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.11ohm ，ID = 17A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 |