| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF520R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.2A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 9.2AI （D ） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF520S
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF520S
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | |||
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IRF520S, SiHF520S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF520STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF520STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRF520T
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
9 A, 100 V, 0.27 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF520U2
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF520UA
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
9A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF520V
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.165ohm ，ID = 9.6A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF520V
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF520VL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.165ohm ，ID = 9.6A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF520VLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF520VPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF520VS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.165ohm ，ID = 9.6A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF520VSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF520VSTRL
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 9.6AI （D ） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF520VSTRR
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 9.6A I(D) | TO-263AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 9.6AI （D ） | TO- 263AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF520VSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.6A I(D), 100V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 局域网 | |||
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IRF520W
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
9A, 100V, 0.27ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF520WC
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF521
中文翻译 品牌: SUPERTEX |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS POWER FETs N - 沟道增强型垂直DMOS功率FET |
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IRF521
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V N沟道功率MOSFET ， 11 A， 60〜100 V |
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IRF521
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
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IRF521
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | |||
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IRF521
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | ||||
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IRF521-001
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF521-002
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF521-002PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF521-003
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |