| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF523-005
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF523-006
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF523-006PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
8A, 80V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF523-009PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF523-010
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF523-011
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF523-011PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
8A, 80V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | ||||
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IRF523-012
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF523-012PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
8A, 80V, 0.36ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | ||||
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IRF523-013
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF523FI
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 6A I（ D） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF523R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS |我8A （D ） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR N沟道增强型硅栅的TMOS功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 栅 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: TRSYS |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE N沟道增强型硅栅 |
晶体 晶体管 栅 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.16ohm, Id=14A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.16ohm ，ID = 14A） |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V N沟道功率MOSFET ， 20 A， 60〜100 V |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS N沟道增强型功率MOS晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: HARRIS |
N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated N沟道功率MOSFET的额定雪崩能量 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRF530
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF530
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF530-001PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF530/D
中文翻译 品牌: ETC |
N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate
N沟道增强型硅栅\n |
栅 | |||
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IRF53016
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
14A, 100V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF5305
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF5305
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF5305
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF5305L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) 功率MOSFET （ VDSS = -55V ， RDS（ON） = 0.06ohm ，ID = -31A ） |
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IRF5305L
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |