| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF640FI
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 10A I（ D） | TO- 220VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF640FP
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET |
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IRF640FPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF640FX
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF640L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.18ohm ，ID = 18A ） |
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IRF640L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF640L
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF640L-102
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF640LPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF640N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.15ohm ，ID = 18A ） |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF640N
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm N沟道功率MOSFET 200V ， 18A ， 0.15ohm |
晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRF640N
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF640NL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.15ohm ，ID = 18A ） |
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IRF640NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm N沟道功率MOSFET 200V ， 18A ， 0.15ohm |
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IRF640NLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF640NLPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature 先进的工艺技术动态的dv / dt额定值175工作温度 |
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IRF640NPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF640NPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature 先进的工艺技术动态的dv / dt额定值175工作温度 |
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IRF640NS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.15ohm, Id=18A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.15ohm ，ID = 18A ） |
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IRF640NS
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs 200V, 18A, 0.15ohm N沟道功率MOSFET 200V ， 18A ， 0.15ohm |
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IRF640NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF640NSPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175 Operating Temperature 先进的工艺技术动态的dv / dt额定值175工作温度 |
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IRF640NSTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-2/3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF640NSTRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF640NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF640N_04
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF640PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF640PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching 功率MOSFET动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩快速切换 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF640R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 18A I（ D） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRF640S
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-263 MESH OVERLAY] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 263 MESH合成] MOSFET |