| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF730
中文翻译 品牌: ISC |
N-channel mosfet transistor N沟道场效应晶体管的晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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IRF730
中文翻译 品牌: SUNTAC |
POWER MOSFET 功率MOSFET |
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IRF730
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF730
中文翻译 品牌: DCCOM |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET技术规格 |
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IRF730
中文翻译 品牌: A-POWER |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET |
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IRF730
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF730
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
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IRF730
中文翻译 品牌: FOSHAN |
TO-220 | ||||
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IRF730
中文翻译 品牌: FS |
POLARITY : N-ch; PC : 74.0; ID : 5.5; VDSS : 400; Vth(min) : 2.0; RDS : 1.0; VGS(RDS) : 10; Package : TO-220; | PC | |||
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IRF730-007
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF730-007PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 晶体管 | |||
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IRF7301
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm) 功率MOSFET （ VDSS = 20V ， RDS（ON） = 0.050ohm ） |
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IRF73016
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
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IRF7301PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
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IRF7301TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | |||
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IRF7301TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.7A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:40mΩ@4.5V | ||||
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IRF7301TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7301TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7303
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm) 功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.050ohm ） |
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IRF7303PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS （ ON） = 0.050ヘ） |
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IRF7303Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | ||||
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IRF7303QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRF7303QPBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPOWERMOSET HEXFETPOWERMOSET |
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IRF7303QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:8-SOIC; | |||
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IRF7303TR
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7303TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7303TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:5.3A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:50mΩ@10V | ||||
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IRF7303TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8 | |||
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IRF7304
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 光电二极管 | ||
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IRF7304PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 光电二极管 |