| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF741
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V N沟道功率MOSFET ， 10A ， 350V / 400V |
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IRF741-002
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF741-002PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | ||||
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IRF741-003PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF741-004
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF741-004PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF741-005
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF741-005PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF741-006
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF741-006PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF741-009
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF741-009PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF741-010
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF741-010PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF741-011
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF741-011PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | ||||
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IRF741-012
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | ||||
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IRF741-013PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
10A, 350V, 0.55ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF7410
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7410GPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN AND LEAD FREE, | 晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7410GTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):12V;额定电流Id(A):16A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):7 mOhm @ 16A, 4.5V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):91nC @ 4.5V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±8V;最小工作温度(℃) | 栅 栅极 | ||
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IRF7410PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
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IRF7410PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | |||
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IRF7410TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 12V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7410TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
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IRF7410TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra Low On-Resistance 超低导通电阻 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7413
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=30V, Id=12A) 功率MOSFET （ VDSS = 30V ，ID = 12A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF7413A
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.0135ohm) 功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.0135ohm ） |
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IRF7413APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF7413GPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Ultra Low On-Resistance |