品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF7501
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm) 功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.135ohm ) |
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IRF7501PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology Ulrtra Low On-Resistance 第五代技术Ulrtra低导通电阻 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7501TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:Micro8™; | |||
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IRF7501TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7503PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7503TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7504TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8 | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7504TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | |||
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IRF7506PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm) HEXFET功率MOSFET ( VDSS = -30V , RDS ( ON) = O.27ohm ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF7506TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7507TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8 | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF750AJ69Z
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF7524D1GPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
FETKY MOSFET & Schottky Diode FETKY MOSFET和肖特基二极管 |
晶体 肖特基二极管 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7524D1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7524D1TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Transistor | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7526D1
中文翻译 品牌: INFINEON |
FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V) FETKY⑩ MOSFET和肖特基二极管( VDSS = -30V , RDS(ON) = 0.20ohm ,肖特基VF = 0.39V |
晶体 肖特基二极管 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7526D1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Co-packaged HEXFET®Power MOSFET and Schottky Diode 共同封装HEXFET® ?功率MOSFET和肖特基二极管 |
肖特基二极管 | ||
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IRF7526D1TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Co-packaged HEXFETÃ Power MOSFET and Schottky Diode 共同封装HEXFETÃ ?功率MOSFET和肖特基二极管 |
晶体 肖特基二极管 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRF7526D1TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Co-packaged HEXFET®Power MOSFET and Schottky Diode 共同封装HEXFET® ?功率MOSFET和肖特基二极管 |
晶体 肖特基二极管 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF7530PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF7530TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8 | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF7530TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Trench Technology 沟槽技术 |
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IRF7534D1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOSFET SCHOTTKY DIODE MOSFET肖特基二极管 |
晶体 肖特基二极管 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 |
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