| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF8010PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF8010STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF8113
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF8113PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢Power MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
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IRF8113UPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, MS-012AA | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF8113UTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, LEAD FREE, MS-012AA | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | |||
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IRF820
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS N沟道增强模式硅栅的TMOS |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF820
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820
中文翻译 品牌: INTERSIL |
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET 2.5A ， 500V ， 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 2.5A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V N沟道功率MOSFET ， 3.0 A， 450 V / 500 V |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820
中文翻译 品牌: SUNTAC |
POWER MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820-013PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820-019PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820A
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 3.0ohm ，ID = 2.5A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820A
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF820A
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF820AL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 3.0ohm ，ID = 2.5A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF820AL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF820ALPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF820ALPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF820ALTRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820APBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF820APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF820AS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON）最大值= 3.0ohm ，ID = 2.5A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRF820AS
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 |