| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF820STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | |||
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IRF820STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-263; | |||
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IRF820STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | |||
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IRF820T
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | |||
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IRF820U2
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF820W
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF820_R4943
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF821
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V N沟道功率MOSFET ， 3.0 A， 450 V / 500 V |
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IRF821
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS N沟道增强模式硅栅的TMOS |
栅 | |||
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IRF821
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRF821
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
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IRF821-009
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF821FI
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 450V V（ BR ） DSS | 2A I（ D） | TO- 220AB |
晶体 晶体管 | |||
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IRF821R
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2.5A I(D),TO-220AB | ||||
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IRF822
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V N沟道功率MOSFET ， 3.0 A， 450 V / 500 V |
晶体 晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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IRF822
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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IRF822
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS N沟道增强型功率MOSTRANSISTORS |
晶体 晶体管 开关 脉冲 高压 局域网 | |||
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IRF822
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 高压 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF822
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 高压 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF822-004
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF822-005
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRF822FI
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS N沟道增强型功率MOSTRANSISTORS |
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IRF822R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 500V V（ BR ） DSS | 2A I（ D） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF823
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V N沟道功率MOSFET ， 3.0 A， 450 V / 500 V |
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IRF823
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS N沟道增强模式硅栅的TMOS |
栅 | |||
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IRF823
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRF823R
中文翻译 品牌: RENESAS |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,2A I(D),TO-220AB | ||||
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IRF8252PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRF8252PBF-1
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRF8252TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:8-SOIC; |