| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF9393PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 30V, 0.0194ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROH | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
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IRF9393TR
中文翻译 品牌: UMW |
MOS（场效应管） | ||||
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IRF9393TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 30V, 0.0194ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROH | |||
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IRF9394MTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor | ||||
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IRF9395MPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Isolation Switch for Input Power or Battery Application 隔离开关的输入电源或电池供电应用 |
电池 开关 | |||
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IRF9395MTR1PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Isolation Switch for Input Power or Battery Application 隔离开关的输入电源或电池供电应用 |
晶体 电池 开关 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | |||
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IRF9395MTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Isolation Switch for Input Power or Battery Application 隔离开关的输入电源或电池供电应用 |
电池 开关 | ||
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IRF9410
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm) 功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） = 0.030ohm ） |
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IRF9410PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 局域网 | ||
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IRF9410TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):30 mOhm @ 7A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):27nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):- | 栅 栅极 | ||
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IRF9510
中文翻译 品牌: INTERSIL |
3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET 3.0A ， 100V ， 1.200欧姆，P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9510
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 1.2ohm ，ID = -4.0A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9510
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9510
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9510
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9510-005PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF9510-009
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF9510-009PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF9510-013PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF9510F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF9510FPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | ||||
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IRF9510FXPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF9510PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF9510PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRF9510PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF9510S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-4.0A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 1.2ohm ，ID = -4.0A ） |
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IRF9510S
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRF9510S, SiHF9510S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF9510SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRF9510STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 |