| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRF9530F
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power | ||||
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IRF9530FX
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTOR 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power | ||||
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IRF9530FXPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRF9530N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.20ohm ，ID = -14A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9530N
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9530N
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9530NL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.20ohm ，ID = -14A ） |
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IRF9530NLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology Surface Mount 先进的工艺技术表面贴装 |
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IRF9530NPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9530NS
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.20ohm ，ID = -14A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9530NS
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9530NSL
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
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IRF9530NSPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology Surface Mount 先进的工艺技术表面贴装 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC 局域网 | ||
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IRF9530NSTRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9530NSTRLHR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3/2 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRF9530NSTRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9530NSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=-14A) 功率MOSFET （ VDSS = -100V ， RDS（ON） = 0.20ohm ，ID = -14A ） |
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IRF9530NSTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Advanced Process Technology 先进的工艺技术 |
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IRF9530PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9530PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRF9530S
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS P沟道功率MOSFET用于HI.REL应用 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRF9530S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-220, 3 PIN | 开关 晶体管 | ||
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IRF9530S, SiHF9530S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRF9530SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS P沟道功率MOSFET用于HI.REL应用 |
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IRF9530SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRF9530SPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power | 开关 晶体管 | ||
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IRF9530STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRF9530STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRF9530STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRF9531
中文翻译 品牌: INFINEON |
TRANSISTORS 晶体管 |
晶体 晶体管 |