| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
 |
 |
IRF9333TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):9.2A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):19.4 mOhm @ 9.2A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):38nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温 | 栅 栅极 | ||
|
 |
IRF9335TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):30 V ;额定电流Id(A):5.4A（Ta） ;最大导通阻抗Ron(mΩ):59 毫欧 @ 5.4A，10V ;类型:P 通道 ;栅极电荷Qg(nC):14 nC @ | 栅 栅极 | ||
|
 |
IRF9410TRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):30V;额定电流Id(A):7A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):30 mOhm @ 7A, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):27nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):2.5W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作温度(℃):- | 栅 栅极 | ||
 |
 |
IRF9640STRLPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
漏源电压Vdss(V):200V;额定电流Id(A):11A (Tc);最大导通阻抗Ron(mΩ):500 mOhm @ 6.6A, 10V;类型:P-Channel;栅极电荷Qg(nC):44n | 栅 栅极 | ||
|
IRF9910PBF_08
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual SO-8 MOSFET for POL Low Gate Charge 双SO- 8 MOSFET的POL低栅极电荷 |
栅极 |
Total:51
总5条记录，每页显示30条记录分1页显示。