| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFB16N50K
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 低栅极电荷Qg结果简单驱动要求 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网 | |||
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IRFB16N50KPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement 低栅极电荷Qg结果简单驱动要求 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 驱动 局域网 | |||
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IRFBE30PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO | 栅 栅极 |
Total:31
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