| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBC40LC-031PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRFBC40LCPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBC40LCSTRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||
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IRFBC40LPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFBC40LPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
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IRFBC40PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBC40PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A) HEXFET功率MOSFET（ VDSS = 600V ， RDS （ ON） = 1.2Ohm ， ID = 6.2A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBC40PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBC40PBF-BE3
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:TO-220AB; | ||||
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IRFBC40R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 600V V（ BR ） DSS | 6.2AI （D ） | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBC40S
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A) 功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 1.2ohm ，ID = 6.2A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBC40S
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBC40S, SiHFBC40S, IRFBC40L, SiHFBC40L
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | ||||
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IRFBC40SPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBC40SPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBC40STRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBC40STRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBC40STRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | ||||
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IRFBC40STRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 |