型号等于: | IRFBE20 (2) IRFBE22 (1) |
型号起始: | IRFBE2* (7) IRFBE20* (4) IRFBE22* (3) |
所属品牌: | 不限 INFINEON(5) VISHAY(2) |
功能分类: | 不限 局域网(5) 脉冲(5) 晶体管(5) 晶体(2) 功率场效应晶体管(1) 开关(2) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFBE20
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=6.5ohm, Id=1.8A) 功率MOSFET ( VDSS = 800V , RDS(ON) = 6.5ohm ,ID = 1.8A ) |
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IRFBE20
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFBE20PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFBE20PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFBE22
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRFBE22-006PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 | |||
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IRFBE22-009
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 局域网 脉冲 晶体管 |
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