型号等于：	IRFBE30 (3) IRFBE32 (1)
型号起始：	IRFBE3* (22) IRFBE30* (21) IRFBE32* (1)
所属品牌：	不限 VISHAY(13) INFINEON(6) KERSEMI(2) ETC(1)
功能分类：	不限晶体(11) 晶体管(11) 功率场效应晶体管(5) 开关(10) 脉冲(11) 局域网(11) 栅(1) 栅极(1)

IRFBE3 - 型号起始; 总记录数：22

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		IRFBE30 中文翻译品牌: INFINEON	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A) 功率MOSFET （ VDSS = 800V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 4.1A ）
		IRFBE30 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFBE30 中文翻译品牌: KERSEMI	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩
		IRFBE30L 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30L 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30LPBF EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30LPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30PBF EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30PBF 中文翻译品牌: KERSEMI	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated 动态的dv / dt额定值额定重复性雪崩	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30PBF 中文翻译品牌: INFINEON	漏源电压Vdss(V):800V;额定电流Id(A):4.1A（Tc）;类型:N通道;栅极电荷Qg(nC):78nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):125W（Tc）;栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 150°C;元器件封装:TO	栅栅极
		IRFBE30PBF-BE3 中文翻译品牌: VISHAY	元器件封装:TO-220AB;
		IRFBE30S 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30S 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30S, SiHFBE30S, IRFBE30L, SiHFBE30L 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET
		IRFBE30SPBF EDA模型中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET	晶体晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30SPBF 中文翻译品牌: INFINEON	HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
		IRFBE30STRLPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET 功率MOSFET
		IRFBE30STRLPBFA 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET
		IRFBE30STRR 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,
		IRFBE30STRRPBF 中文翻译品牌: VISHAY	Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
		IRFBE30S_V01 中文翻译品牌: VISHAY	Power MOSFET
		IRFBE32 中文翻译品牌: ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 800V V(BR)DSS \| 3.2A I(D) \| TO-220AB 晶体管\| MOSFET \| N沟道\| 800V V（ BR ） DSS \| 3.2AI （D ） \| TO- 220AB\n	晶体晶体管脉冲局域网

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