| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFD010
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管N沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD010
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:4-HVMDIP; | |||
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IRFD012
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管N沟道HEXDIP |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.7A) 功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.20ohm ，ID = 1.7A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRFD014PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRFD014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD014_10
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD015
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.4A I(D) | DIP
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V（ BR ） DSS | 1.4AI （ D） | DIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD020
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管N沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD020
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD020PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD022
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管N沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD024
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 60V ， RDS（ON） = 0.10ohm ，ID = 2.5A ） |
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IRFD024
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD024PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
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IRFD024PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | |||
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IRFD024_10
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD025
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 60V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN | 光电二极管 晶体管 | |||
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IRFD110
中文翻译 品牌: INTERSIL |
1A, 100V, 0.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET 1A ， 100V ， 0.600 Ohm的N通道功率MOSFET |
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IRFD110
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.54ohm ，ID = 1.0A ） |
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IRFD110
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFD110
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFD110PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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IRFD110R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 1A I（ D） | TO- 250VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD111
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS | 1A I（ D） | TO- 250VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD111R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS | 1A I（ D） | TO- 250VAR\n |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD112
中文翻译 品牌: GE |
POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR 功率MOSFET场效应功率晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD112R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 800MA I（ D） | TO- 250VAR\n |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 |