| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFD010
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管N沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD012
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS N-CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管N沟道HEXDIP |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD020PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD025
中文翻译 品牌: INFINEON |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 60V, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMILAR TO MO-001AN, 3 PIN | 光电二极管 晶体管 | |||
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IRFD110
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFD110
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFD113PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, HVMDIP-2, FET General Purpose Small Signal | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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IRFD120
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.27ohm, Id=1.3A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON） = 0.27ohm ，ID = 1.3A ） |
晶体 小信号场效应晶体管 | |||
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IRFD120
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET 1.3A ， 100V ， 0.300 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFD120
中文翻译 品牌: HARRIS |
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 1.3A和1.1A ， 80V和100V ， 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET |
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IRFD120
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
1300mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | ||||
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IRFD120PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD121
中文翻译 品牌: HARRIS |
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 1.3A和1.1A ， 80V和100V ， 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD122
中文翻译 品牌: HARRIS |
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 1.3A和1.1A ， 80V和100V ， 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET |
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IRFD123
中文翻译 品牌: HARRIS |
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 1.3A和1.1A ， 80V和100V ， 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET |
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IRFD1Z0
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFD210
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD210
中文翻译 品牌: HARRIS |
0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS 0.6A和0.45A ， 150V和200V ， 1.5和2.4 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD210
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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IRFD210PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD210PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD211
中文翻译 品牌: HARRIS |
0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS 0.6A和0.45A ， 150V和200V ， 1.5和2.4 Ohm的N通道功率MOSFET |
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IRFD212
中文翻译 品牌: HARRIS |
0.6A AND 0.45A, 150V AND 200V, 1.5 AND 2.4 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFETS 0.6A和0.45A ， 150V和200V ， 1.5和2.4 Ohm的N通道功率MOSFET |
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IRFD220
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=0.80A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.80ohm ，ID = 0.80A ） |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD220
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET 0.8A ， 200V ， 0.800 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD220
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 开关 光电二极管 晶体管 | |||
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IRFD220PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD220PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD223
中文翻译 品牌: VISHAY |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-250AA, TO-250, 3 PIN | 开关 光电二极管 晶体管 | ||
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IRFD310
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=0.35A) 功率MOSFET （ VDSS = 400V ， RDS（ON） = 3.6ohm ，ID = 0.35A ） |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管 |