型号起始:IRFD1* (39) IRFD11* (15) IRFD12* (19) IRFD1Z* (5)
所属品牌:不限 RENESAS(7) VISHAY(7) INTERSIL(6) ETC(5) HARRIS(4) INFINEON(4) MOTOROLA(3) GE(2) FAIRCHILD(1)
功能分类:不限 开关(11) 光电二极管(11) 晶体管(15) 晶体(13) 小信号场效应晶体管(4) 功率场效应晶体管(1)
品牌 图片 型号 描述 用途标签 PDF 供应商
IRFD110 EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 小信号场效应晶体管
IRFD110
中文翻译 品牌: MOTOROLA
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFD110R
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V( BR ) DSS | 1A I( D) | TO- 250VAR\n
晶体 晶体管
IRFD111
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V( BR ) DSS | 1A I( D) | TO- 250VAR\n
晶体 晶体管
IRFD111R
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V( BR ) DSS | 1A I( D) | TO- 250VAR\n
晶体 晶体管 开关 光电二极管
IRFD112
中文翻译 品牌: GE
POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
功率MOSFET场效应功率晶体管
晶体 晶体管
IRFD112R
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V( BR ) DSS | 800MA I( D) | TO- 250VAR\n
晶体 晶体管 开关 光电二极管
IRFD113
中文翻译 品牌: GE
POWER-MOSFET FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR
功率MOSFET场效应功率晶体管
晶体 晶体管
IRFD113PBF
中文翻译 品牌: VISHAY
TRANSISTOR 800 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, HVMDIP-2, FET General Purpose Small Signal 开关 光电二极管 晶体管
IRFD113R
中文翻译 品牌: ETC
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V( BR ) DSS | 800MA I( D) | TO- 250VAR\n
晶体 晶体管 开关 光电二极管
IRFD120
中文翻译 品牌: INFINEON
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.27ohm, Id=1.3A)
功率MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(ON) = 0.27ohm ,ID = 1.3A )
晶体 小信号场效应晶体管
IRFD120
中文翻译 品牌: FAIRCHILD
1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET
1.3A , 100V , 0.300 Ohm的N通道功率MOSFET
晶体 小信号场效应晶体管
IRFD120
中文翻译 品牌: HARRIS
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
1.3A和1.1A , 80V和100V , 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET
IRFD120 EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
晶体 晶体管 功率场效应晶体管
IRFD120
中文翻译 品牌: MOTOROLA
1300mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFD120PBF
中文翻译 品牌: INFINEON
HEXFET Power MOSFET
HEXFET功率MOSFET
晶体 小信号场效应晶体管 开关 光电二极管
IRFD120PBF EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):1.3A (Ta);最大导通阻抗Ron(mΩ):270 mOhm @ 780mA, 10V;类型:N-Channel;栅极电荷Qg(nC):16nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.3W (Ta);栅源耐压Vgs(V):±20V;最小工作 栅极
IRFD120R
中文翻译 品牌: RENESAS
1300mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 开关 光电二极管 晶体管
IRFD121
中文翻译 品牌: HARRIS
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
1.3A和1.1A , 80V和100V , 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET
晶体 晶体管 开关 光电二极管
IRFD121
中文翻译 品牌: RENESAS
1300mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 开关 光电二极管 晶体管
IRFD121R
中文翻译 品牌: RENESAS
1300mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 开关 光电二极管 晶体管
IRFD122
中文翻译 品牌: HARRIS
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
1.3A和1.1A , 80V和100V , 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET
IRFD122
中文翻译 品牌: RENESAS
1100mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFD122R
中文翻译 品牌: RENESAS
1100mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 开关 光电二极管 晶体管
IRFD123
中文翻译 品牌: HARRIS
1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
1.3A和1.1A , 80V和100V , 0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET
IRFD123
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRFD123
中文翻译 品牌: RENESAS
1100mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFD123PBF
中文翻译 品牌: VISHAY
Power MOSFET
功率MOSFET
IRFD123R
中文翻译 品牌: RENESAS
1100mA, 80V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET 开关 光电二极管 晶体管
IRFD1Z0
中文翻译 品牌: MOTOROLA
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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