| 型号起始： | IRFD90* (17) IRFD901* (9) IRFD902* (8) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(8) VISHAY(7) ETC(2) |
| 功能分类： | 不限 晶体(13) 晶体管(11) 功率场效应晶体管(5) 开关(7) 脉冲(5) 光电二极管(7) 小信号场效应晶体管(2) 局域网(2) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFD9010
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFD9010
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET® TRANSISTORS P-CHANNEL HEXDIP⢠HEXFET®晶体管P沟道HEXDIPâ ?? ¢ |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9010PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 1100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP, 4 PIN, FET General Purpose Small Signal | 晶体 小信号场效应晶体管 | ||
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IRFD9012
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
晶体管| MOSFET | P沟道| 50V V（ BR ） DSS | 910MA I（ D） | DIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -1.1A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD9014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRFD9014PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | ||
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IRFD9014PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ POWER MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD9015
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
晶体管| MOSFET | P沟道| 60V V（ BR ） DSS | 910MA I（ D） | DIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9020
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管P沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 局域网 | |||
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IRFD9020
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 局域网 | ||
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IRFD9020PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFD9022
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP HEXFET晶体管P沟道HEXDIP |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9024
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET | |||
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IRFD9024PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
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IRFD9025
中文翻译 品牌: INFINEON |
Transistor, |
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