型号等于: | IRFD9120 (3) IRFD9123 (1) |
型号起始: | IRFD912* (7) IRFD9120* (5) IRFD9123* (2) |
所属品牌: | 不限 VISHAY(3) INFINEON(2) ETC(1) INTERSIL(1) |
功能分类: | 不限 晶体(5) 晶体管(5) 功率场效应晶体管(2) 开关(4) 光电二极管(4) 栅(1) 栅极(1) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFD9120
中文翻译 品牌: INTERSIL |
1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET 1.0A , 100V , 0.6欧姆,P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9120
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-1.0A) 功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(ON) = 0.60ohm ,ID = -1.0A ) |
晶体 晶体管 开关 光电二极管 | |||
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IRFD9120
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9120PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 光电二极管 | ||
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IRFD9120PbF
中文翻译 品牌: INFINEON |
漏源电压Vdss(V):100V;额定电流Id(A):1A(Ta);类型:P通道;栅极电荷Qg(nC):18nC @ 10V;最大耗散功率Pd(W):1.3W(Ta);栅源耐压Vgs(V):4V @ 250µA;最小工作温度(℃):-55°C ;最大工作温度(℃): 175°C;元器件封装:4-DI | 栅 栅极 | |||
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IRFD9123
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
晶体管| MOSFET | P沟道| 60V V( BR ) DSS | 800MA I( D) | TO- 250VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFD9123PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
元器件封装:4-HVMDIP; |
Total:71
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