| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFF121
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
6A, 80V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFF121R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS | 6A I（ D） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFF122
中文翻译 品牌: GE |
N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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IRFF122
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 | ||||
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IRFF122R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 5A I（ D） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFF123
中文翻译 品牌: GE |
N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors N沟道增强型功率MOS场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFF123
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFF123R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS | 5A I（ D） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFF130
中文翻译 品牌: INTERSIL |
8.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET 8.0A ， 100V ， 0.180 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFF130
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFF130
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 N沟道MOSFET在一个密封TO39 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFF130
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFF130
中文翻译 品牌: INFINEON |
100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A IRFF130 with Hermetic Packaging | |||
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IRFF130
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 3-Pin TO-39 | ||||
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IRFF130
中文翻译 品牌: DIGITRON |
Polarity : N-Channel; Type : Enhancement; Power Dissipation : 0.8; Maximum Drain-Source Voltage : | ||||
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IRFF130R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS |我8A （D ） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFF131
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFF131
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
8A, 80V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | ||||
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IRFF131R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS |我8A （D ） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFF132
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFF132R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 100V V（ BR ） DSS | 7A I（ D） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFF133
中文翻译 品牌: GE |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS N沟道增强模式功率场效应晶体管 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | |||
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IRFF133R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-205AF
晶体管| MOSFET | N沟道| 80V V（ BR ） DSS | 7A I（ D） | TO- 205AF\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 |