型号起始: | IRFG* (13) IRFG1* (4) IRFG5* (2) IRFG6* (4) IRFG9* (2) IRFGI* (1) |
所属品牌: | 不限 INFINEON(8) ETC(3) SEME-LAB(2) |
功能分类: | 不限 晶体(8) 晶体管(9) 开关(3) 脉冲(7) CD(7) 局域网(3) |
品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFG110
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) 功率MOSFET直通孔( MO- 036AB ) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFG110
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD 14 LEAD双列直插式QUAD |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFG110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.8ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED PACKAGE- | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFG1Z0
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 100V, 3ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFG5110
中文翻译 品牌: INFINEON |
100V, Combination 2N-2P-CHANNEL 100V ,结合2N -2P -CHANNEL |
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IRFG5210
中文翻译 品牌: INFINEON |
200V, Combination 2N-2P-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY 200V ,结合2N -2P - CHANNEL HEXFET MOSFET技术 |
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IRFG6110
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) 功率MOSFET直通孔( MO- 036AB ) |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFG6110
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
14 LEAD DUAL IN LINE QUAD 14 LEAD双列直插式QUAD |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFG6110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFG6113
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 60V V(BR)DSS | 850MA I(D) | DIP
晶体管| MOSFET | ARRAY |辅食| 60V V( BR ) DSS | 850MA I( D) | DIP\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFG9110
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB) 功率MOSFET直通孔( MO- 036AB ) |
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IRFG9113
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 650MA I(D) | DIP
晶体管| MOSFET | ARRAY | P沟道| 60V V( BR ) DSS | 650MA I( D) | DIP\n |
晶体 晶体管 |
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