| 型号起始： | IRFN2* (8) IRFN21* (2) IRFN24* (2) IRFN25* (4) |
| 所属品牌： | 不限 INFINEON(3) SEME-LAB(3) FAIRCHILD(2) |
| 功能分类： | 不限 晶体(7) 晶体管(7) 功率场效应晶体管(3) 开关(6) 脉冲(6) 局域网(3) 小信号场效应晶体管(1) |
| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFN214B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
晶体 小信号场效应晶体管 开关 | ||
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IRFN214BTA_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN | 开关 晶体管 | ||
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IRFN240
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.18ohm ，ID = 18A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFN240SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFN250
中文翻译 品牌: INFINEON |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.100ohm, Id=27.4A) 功率MOSFET N沟道（ BVDSS = 200V ， RDS（ON） = 0.100ohm ，ID = 27.4A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFN250
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N–CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFN250PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFN250SMD
中文翻译 品牌: SEME-LAB |
N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 |
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