| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP340R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 11A I（ D） | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP341
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 10A I（ D） | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFP3411
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 10A I（ D） | TO- 247VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP3415
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) 功率MOSFET （ VDSS = 150V ， RDS（ON） = 0.042ohm ，ID = 43A ） |
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IRFP3415PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP341R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 11A I（ D） | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP342
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.4A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 8.4AI （D ） | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP342R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 8.7AI （D ） | TO- 247AC |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP343
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP343R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 8.7AI （D ） | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP344
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.63ohm, Id=9.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 450V ， RDS（ON） = 0.63ohm ，ID = 9.5A ） |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRFP344
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRFP344PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRFP344PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRFP350
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350
中文翻译 品牌: INTERSIL |
16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET 16A ， 400V ， 0.300 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) 功率MOSFET （ VDSS = 400V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 16A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP350
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350-205PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP350A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350FI
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 10A I（ D） | TO- 218VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP350LC
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) 功率MOSFET （ VDSS = 400V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 16A） |
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IRFP350LC
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFP350LCPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFP350PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP350R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 16A I（ D） | TO- 247 |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP351
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
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IRFP351R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-247
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 16A I（ D） | TO- 247\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFP352
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |