| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFP31N50L
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.15ohm, Id=31A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON） （典型值） = 0.15ohm ，ID = 31A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP31N50L
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP31N50LPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP3206PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP32N50K
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON） （典型值） = 0.135ohm ，ID = 32A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP32N50K
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP3306PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP331
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 350V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP332
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP333
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 350V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP340A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 11A I（ D） | TO- 247VAR\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP340B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
400V N-Channel MOSFET 400V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP340PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP340PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP3415PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP341R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 350V V（ BR ） DSS | 11A I（ D） | TO- 247AC\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP342R
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8.7A I(D) | TO-247AC
晶体管| MOSFET | N沟道| 400V V（ BR ） DSS | 8.7AI （D ） | TO- 247AC |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP343
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP344
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.63ohm, Id=9.5A) 功率MOSFET （ VDSS = 450V ， RDS（ON） = 0.63ohm ，ID = 9.5A ） |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRFP344
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRFP344PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 局域网 | ||
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IRFP344PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 局域网 | |||
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IRFP350
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
N-CHANNEL POWER MOSFETS N沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350
中文翻译 品牌: INTERSIL |
16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET 16A ， 400V ， 0.300 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A) 功率MOSFET （ VDSS = 400V ， RDS（ON） = 0.30ohm ，ID = 16A） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFP350
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350-205PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFP350A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFP350PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |