| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR210
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=2.6A) 功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON） = 1.5ohm ，ID = 2.6A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR210
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR210
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR210A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 2.7AI （D ） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFR210B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
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IRFR210BTF_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR210BTM_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR210PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR210PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR210PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR210TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR210TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR210TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR210TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR210TRR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR210TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR211
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 晶体管 | |||
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IRFR212
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.1A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V（ BR ） DSS | 2.1AI （D ） | TO- 252AA |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR212PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR214
中文翻译 品牌: INTERSIL |
2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 2.2A ， 250V ， 2.000 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR214
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A) 功率MOSFET （ VDSS = 250V ， RDS（ON） = 2.0ohm ，ID = 2.2A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR214
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR214
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR214A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V（ BR ） DSS | 2.2AI （D ） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFR214BTM_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR214PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR214PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR214PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR214TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR214TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |