| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR9010
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 | ||
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IRFR9010PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9010TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9010TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Transistor | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9010TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Transistor | |||
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IRFR9010TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR9010TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR9010TRR
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9012
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose Power | |||
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IRFR9012-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9012TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose Power | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR9012TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose Power | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR9012TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
TRANSISTOR 4.5 A, 50 V, 0.7 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFR9014
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-5.1A) 功率MOSFET （ VDSS = -60V ， RDS（ON） = 0.50ohm ，ID = -5.1A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR9014
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
P-CHANNEL POWER MOSFETS P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR9014
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR9014-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9014TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR9014TRL
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR9014TRL
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR9014TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR9014TRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR9014TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR9014TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | 晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFR9015
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | P沟道| 60V V（ BR ） DSS | 4.5AI （D ） | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFR9015-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9020
中文翻译 品牌: INFINEON |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS 重复性雪崩和dv / dt额定HEXFET晶体管 |
晶体 晶体管 局域网 | |||
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IRFR9020
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFR9020-T1
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFR9020TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 |