品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFR9110
中文翻译 品牌: INTERSIL |
3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs 3.1A , 100V , 1.200欧姆,P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | ||
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IRFR9110
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A) 功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(ON) = 1.2ohm ,ID = -3.1A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRFR9110
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR9110
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRFR9110
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, | 开关 晶体管 | ||
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IRFR9110
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 晶体管 | |||
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IRFR9110
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 开关 晶体管 | |||
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IRFR91109A
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
3.1A, 100V, 1.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA | 局域网 开关 晶体管 | |||
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IRFR9110PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR9110PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR9110PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR9110TR
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR9110TR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRFR9110TRLPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR9110TRLPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR9110TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR9110TRPBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR9110TRR
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFR9110TRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRFR9110TRRPBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRFR9111
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-252
晶体管| MOSFET | P沟道| 80V V( BR ) DSS | 3.2AI (D ) | TO- 252\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFR9120
中文翻译 品牌: INTERSIL |
5.6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs 5.6A , 100V , 0.600欧姆,P沟道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 | ||
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IRFR9120
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-5.6A) 功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(ON) = 0.60ohm ,ID = -5.6A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | |||
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IRFR9120
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 | ||
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IRFR9120
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRFR9120
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | 开关 晶体管 | |||
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IRFR91209A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-252AA
晶体管| MOSFET | P沟道| 100V V( BR ) DSS | 5.6AI (D ) | TO- 252AA\n |
晶体 晶体管 开关 | |||
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IRFR9120N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.48ohm, Id=-6.6A) 功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(ON) = 0.48ohm ,ID = -6.6A ) |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFR9120N
中文翻译 品牌: FREESCALE |
HEXFET® Power MOSFET HEXFET®功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFR9120NPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 0.48ヘ , ID = -6.6A ) HEXFET功率MOSFET ( VDSS = -100V , RDS ( ON) = 0.48ヘ, ID = -6.6A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 |