| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS520A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS520A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS522
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS523
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS52N15DPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 PC | ||
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IRFS52N15DTRLP
中文翻译 品牌: INFINEON |
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS52N15DTRRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFS530
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS530A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS530A_NL
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220F, 3 PIN | 晶体 晶体管 局域网 | ||
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IRFS531
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 80V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS540
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS540A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS542
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS5615PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Key Parameters Optimized for Class-D Audio 优化的D类音频关键参数 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 脉冲 放大器 | ||
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IRFS5615TRLPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, D2PAK-3 | 放大器 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS59N10D
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) 功率MOSFET （ VDSS = 100V ， RDS（ON）最大值= 0.025ohm ，ID = 59A ） |
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IRFS59N10DPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
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