品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS620
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS620A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 4.1A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 4.1AI (D ) | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFS621
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS622
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS624
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS624A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | TO-220AB
晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS | 3.4AI (D ) | TO- 220AB\n |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | |||
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IRFS624B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS625
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
Total:81
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