| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFS640
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
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IRFS640
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用 |
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IRFS640A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Rugged Gate Oxide Technology 坚固的门栅氧化层技术 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 栅 局域网 | ||
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IRFS640A
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved gate charge 改进的栅极电荷 |
晶体 栅极 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS640B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFS640B
中文翻译 品牌: TGS |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFS640B
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS640B_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS640B_FP001
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
18A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFS641
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Improved inductive ruggedness 改进的感应耐用 |
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IRFS642
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 晶体管 | ||
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IRFS644
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.5A I(D) | TO-220VAR
晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V（ BR ） DSS | 8.5AI （D ） | TO- 220VAR\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFS644A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 局域网 | ||
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IRFS644B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
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IRFS644BYDTU_AS001
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-220F-3; | |||
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IRFS644B_FP001
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
元器件封装:TO-220F-3; | |||
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IRFS645
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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