品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFU210
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
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IRFU210A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-251AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 200V V( BR ) DSS | 2.7AI (D ) | TO- 251AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU210B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
200V N-Channel MOSFET 200V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU210BTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU211
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | TO-251AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 150V V( BR ) DSS | 2.7AI (D ) | TO- 251AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFU212
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFU212
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA | 脉冲 晶体管 | |||
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IRFU214
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A) 功率MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(ON) = 2.0ohm ,ID = 2.2A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU214
中文翻译 品牌: INTERSIL |
2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 2.2A , 250V , 2.000 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU214
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU214
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU214A
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 250V V( BR ) DSS | 2.2AI (D ) | TO- 251AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU214ATU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFU214B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
250V N-Channel MOSFET 250V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU214BTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU214PBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFU214PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET HEXFET㈢功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFU214PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFU220
中文翻译 品牌: INTERSIL |
4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 4.6A , 200V , 0.800 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU220
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU220
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU220
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
4.6A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA | 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFU220A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 脉冲 | |||
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IRFU220ATU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFU220BTLTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3 | 晶体 晶体管 脉冲 | ||
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IRFU220BTLTU_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||
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IRFU220BTU-AM002
中文翻译 品牌: ONSEMI |
功率 MOSFET,N 沟道,B-FET,200 V,4.6 A,0.9 Ω,IPAK | ||||
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IRFU220BTU_FP001
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, LEAD FREE, IPAK-3 | 开关 脉冲 晶体管 | ||
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IRFU220N
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=600mohm, Id=5.0A) 功率MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(ON)最大值= 600mohm ,ID = 5.0A ) |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU220N
中文翻译 品牌: KERSEMI |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 脉冲 |