| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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IRFU4104PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5mヘ , ID = 42A ) HEXFET㈢功率MOSFET （ VDSS = 40V ， RDS （ ON） = 5.5米ヘ， ID = 42A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFU4105
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=27A) 功率MOSFET （ VDSS = 55V ， RDS（ON） = 0.045ohm ，ID = 27A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | |||
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IRFU4105PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
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IRFU4105Z
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vds=55V, Rds(on)=24.5mohm, Id=30A) 功率MOSFET （VDS = 55V ， RDS（ON） = 24.5mohm ，ID = 30A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFU4105ZPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
AUTOMOTIVE MOSFET 汽车MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFU410A
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Advanced Power MOSFET 先进的功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFU410ATU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFU410B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU410BTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFU411
中文翻译 品牌: SAMSUNG |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 450V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | 晶体管 | |||
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IRFU420
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A) 功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS（ON） = 3.0ohm ，ID = 2.4A ） |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFU420
中文翻译 品牌: INTERSIL |
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 2.5A ， 500V ， 3.000 Ohm的N通道功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFU420
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 局域网 | ||
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IRFU420
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 局域网 | |||
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IRFU420
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, | 局域网 开关 脉冲 晶体管 | |||
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IRFU420A
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
晶体 开关 晶体管 脉冲 | |||
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IRFU420A
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU420A
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU420APBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) max = 3.0ヘ , ID = 3.3A ) HEXFET功率MOSFET （ VDSS = 500V ， RDS （ ON）最大值= 3.0ヘ， ID = 3.3A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU420APBF
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU420APbF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU420ATU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
暂无描述 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU420B
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
500V N-Channel MOSFET 500V N沟道MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU420BTU
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, IPAK-3 | 晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU420PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = 2.4A ) HEXFET功率MOSFET（ VDSS = 500V ， RDS （ ON） = 3.0ヘ， ID = 2.4A ） |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU420PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 | ||
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IRFU420PBF
中文翻译 品牌: KERSEMI |
Dynamic dV/dt Rating 动态的dv / dt额定值 |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU421
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 450V V（ BR ） DSS | 2.5AI （D ） | TO- 251AA\n |
晶体 晶体管 开关 脉冲 | |||
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IRFU422
中文翻译 品牌: ETC |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251AA
晶体管| MOSFET | N沟道| 500V V（ BR ） DSS | 2.2AI （D ） | TO- 251AA\n |
晶体 晶体管 | |||
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IRFU430A
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 |