ISM频段查询 - Datasheet ICPDF资料库

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		2SK2597 中文翻译品牌: NEC	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FOR BASE STATION OF 900 MHz BAND CELLULAR PHONE POWER AMPLIFICATION N沟道硅功率MOSFET为900 MHz频段的手机功率放大基站	手机蜂窝移动电话
		MGFC36V5258 中文翻译品牌: MITSUBISHI	5.2 - 5.8GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHED GaAs FET 5.2 - 5.8GHz频段4W内部匹配的GaAs FET
		MGFC38V5867 中文翻译品牌: MITSUBISHI	5.8~6.75 GHZ BAND 6W INTERNALLY MATCHED GAASFET 5.8 〜 6.75 GHz频段6W内部匹配GAASFET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		MGFC40V5258 中文翻译品牌: MITSUBISHI	5.2 - 5.8GHz BAND 10W INTERNALLY MATCHED GaAs FET 5.2 - 5.8GHz频段10W内部匹配的GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		MGFC42V5258 中文翻译品牌: MITSUBISHI	5.2 - 5.8GHz BAND 16W INTERNALLY MATCHED GaAs FET 5.2 - 5.8GHz频段16W内部匹配的GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		MGFC45V5964A 中文翻译品牌: MITSUBISHI	5.9 - 6.4 GHz BAND 32W INTERNALLY MATCHED GaAs FET 5.9 - 6.4 GHz频段32W内部匹配的GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		MGFS52BN2122A 中文翻译品牌: MITSUBISHI	2.1-2.2 GHz BAND 160W GaAs FET 2.1-2.2 GHz频段160W的GaAs FET	晶体射频场效应晶体管放大器局域网
		NE5511279A 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5511279A-T1A 中文翻译品牌: NEC	NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET NECS 7.5 V UHF频段射频功率硅LD- MOS FET	晶体射频场效应晶体管放大器
		NE5520379A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器 ISM频段晶体管
		NE55410GR-T3-AZ 中文翻译品牌: NEC	N-CHANNEL SILICON POWER LDMOS FET FOR 2 W + 10 W VHF to L-BAND SINGLE-END POWER AMPLIFIER N沟道硅功率LDMOS FET，用于2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器	晶体放大器射频场效应晶体管功率放大器光电二极管 ISM频段
		NE6500179A-T1-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 79A, 4 PIN	放大器 ISM频段晶体管
		NE6510379A-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-junction FET, 79A, 4 PIN	放大器 ISM频段晶体管
		NE8500200-RG-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, DIE	放大器 ISM频段晶体管
		NEM090603M-28-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, 3M (T-9	局域网放大器 ISM频段光电二极管晶体管
		NEM090603M-28-A 中文翻译品牌: RENESAS	NEM090603M-28-A	局域网放大器 ISM频段光电二极管晶体管
		NEM091203P-28-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, T-97M,	局域网放大器 ISM频段光电二极管晶体管
		NEM091203P-28-A 中文翻译品牌: RENESAS	NEM091203P-28-A	局域网放大器 ISM频段光电二极管晶体管
		NEM091603P-28-A 中文翻译品牌: NEC	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, T-97M,	放大器 ISM频段光电二极管晶体管
		NEM091603P-28-A 中文翻译品牌: RENESAS	NEM091603P-28-A	放大器 ISM频段光电二极管晶体管
		NES1823M-180-A 中文翻译品牌: RENESAS	2 CHANNEL, S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET, PLASTIC, T-92M, 4 PIN	局域网放大器 ISM频段光电二极管晶体管
		PTF180601C 中文翻译品牌: INFINEON	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz LDMOS场效应晶体管60 W， DCS / PCS频段1805-1880 ， 1930至1990年兆赫	晶体射频场效应晶体管过程控制系统分布式控制系统 PCS DCS 放大器
		PTF180601E 中文翻译品牌: INFINEON	LDMOS Field Effect Transistor 60 W, DCS/PCS Band 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz LDMOS场效应晶体管60 W， DCS / PCS频段1805-1880 ， 1930至1990年兆赫	晶体射频场效应晶体管过程控制系统分布式控制系统 PCS DCS 放大器局域网

ISM频段 - 型号起始 - 射频场效应晶体管; 总记录数：24