| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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JAN1N4549RC
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-5, 1 PIN | 测试 光电二极管 | ||
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JAN1N4551RA
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 4.7V V(Z), 10%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-5, 1 PIN | 测试 光电二极管 | ||
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JAN1N4553RC
中文翻译 品牌: MICROSEMI |
Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 50W, Silicon, Unidirectional, DO-203AB, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-5, 1 PIN | 测试 光电二极管 | ||
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JAN1N4566AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4567AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4568AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4569AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4570AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4571AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4572AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4573AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4574AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4575AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4576AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4578AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4581AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4582AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4583AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4584AUR-1/TR
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:2 µA @ 3 V;额定稳压值(Vz):6.4 V;元器件封装:DO-213; | 光电二极管 | |||
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JAN1N485B
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±2%;最大耗散功率（PD）:500 mW;反向电流（Ir）:5 µA @ 180 V;额定稳压值(Vz):180 V;元器件封装:DO-35; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4955
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:100 µA @ 5.7 V;额定稳压值(Vz):7.5 V;元器件封装:E，轴向; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4960US
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:10 µA @ 9.1 V;额定稳压值(Vz):12 V;元器件封装:D-5B; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4969
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:2 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:E，轴向; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4969US
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:2 µA @ 22.8 V;额定稳压值(Vz):30 V;元器件封装:D-5B; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4976
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:2 µA @ 42.6 V;额定稳压值(Vz):56 V;元器件封装:E，轴向; | 光电二极管 | |||
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JAN1N4986US
中文翻译 品牌: MICROCHIP |
稳压精度:±5%;最大耗散功率（PD）:5 W;反向电流（Ir）:2 µA @ 114 V;额定稳压值(Vz):150 V;元器件封装:D-5B; | 光电二极管 |
Total:261
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