型号起始：	JS28F00A* (17) JS28F00AM* (4) JS28F00AP* (13)
所属品牌：	不限 MICRON(12) NUMONYX(4) MICROSEMI(1)
功能分类：	不限闪存(11) 存储(7) 内存集成电路(10) 光电二极管(11) PC(3)

JS28F00A - 型号起始 - 存储; 总记录数：12

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		JS28F00AM29EWH0 EDA模型中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):1Gb（128M x 8，64M x 16）;内存数据长度(bit):128M ;字编码数(k):128M ;元器件封装:56-TSOP;	存储
		JS28F00AM29EWHA EDA模型中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F00AM29EWHB 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储
		JS28F00AM29EWL0 中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):1Gb（128M x 8，64M x 16）;内存数据长度(bit):128M ;字编码数(k):128M ;元器件封装:56-TSOP;	存储
		JS28F00AM29EWLA 中文翻译品牌: MICROSEMI	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F00AM29EWLA 中文翻译品牌: MICRON	Parallel NOR Flash Embedded Memory 并行NOR闪存的嵌入式存储器	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F00AP30BF 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储
		JS28F00AP30EF 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F00AP30TF 中文翻译品牌: MICRON	Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ）	闪存存储内存集成电路光电二极管
		JS28F00AP33BF0 中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):1Gb（64M x 16）;内存数据长度(bit):64M ;字编码数(k):64M ;最大时钟频率(MHz):40 MHz;元器件封装:56-TSOP;	时钟存储
		JS28F00AP33EF0 中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):1Gb（64M x 16）;内存数据长度(bit):64M ;字编码数(k):64M ;最大时钟频率(MHz):40 MHz;元器件封装:56-TSOP;	时钟存储
		JS28F00AP33TF 中文翻译品牌: MICRON	存储容量(Mb):1Gb（64M x 16）;内存数据长度(bit):64M ;字编码数(k):64M ;最大时钟频率(MHz):40 MHz;元器件封装:56-TSOP;	时钟存储

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